有效的太赫茲 (THz) 輻射源對于各種科學和技術應用非常重要。重要的關鍵因素是大帶寬和高太赫茲電場幅度。這通常意味著較大的發射極面積，并且在傳統概念中需要高偏置電壓（數百伏）以實現必要的偏置場強，通常在 kV/cm 范圍內。Tera-SED 的主要優勢是大有效面積和低偏置電壓要求的組合。

Tera-SED 是一種平面大面積基于 GaAs 的光電導發射器，用于脈沖生成寬帶太赫茲輻射。 它具有新穎的叉指式電極 MSM 結構，允許在單個電極之間具有 kV/cmbias 場的大活性區域。只需要低外部偏置電壓，無需脈沖高壓電源。其靈活的可擴展設備技術使 Tera-SED 成為有效率且多功能的太赫茲發射器。

Tera-SED 不需要外部冷卻。它連接到適合 1 英寸光學安裝座的金屬支架。易用性和輕松對齊是關鍵資產。

Tera-SED 有兩種不同的版本：10x10 mm2 可用區域用于放大 fs-laser 系統（脈沖能量高達 300 μJ，從 ~10 μJ 飽和）和 3x3 mm2 可用區域適合與 fs-laser 一起使用振蕩器。

• 大面積太赫茲發射器
• 低外部偏置電壓
• 無需外部冷卻
• 叉指設計